碳化硅陶瓷的燒結性
碳化硅是碳和硅原子以化學鍵結合的四面體空間排布的結晶體,其共價鍵很強,Si—C鍵的離子性僅占14%[5]。這種共價鍵陶瓷非常難燒結,在無壓固相燒結過程中,即使在非常高的溫度下,粉末(3~5μm)之間也僅有微量的頸部長大,而不發(fā)生體積收縮致密化[9]。因此其燒結通常需要加入少量添加劑或施加高的機械壓力[10]。其難于燒結的原因是:○1顆粒的燒結性取決于它的原子擴散性,即取決于其缺陷結構,而共價鍵化合物的非化學計量成分的偏差都非常窄,位錯(SiC經觀察表明存在著低能層錯)要沖斷共價鍵而運動也相當困難;○2共價鍵陶瓷的自擴散系數(shù)比氧化物陶瓷的自擴散系數(shù)低。
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此文關鍵字:碳化硅陶瓷
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