碳化硅是共價鍵很強(qiáng)的化合物，碳化硅中Si-C鍵的離子性僅12%左右。因此，碳化硅陶瓷強(qiáng)度高、彈性模量大，具有優(yōu)良的耐磨損性能。純碳化硅不會被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等堿溶液侵蝕。在空氣中加熱時易發(fā)生氧化，但氧化時表面形成的SiO2會抑制氧的進(jìn)一步擴(kuò)散，故氧化速率并不高。在電性能方面，碳化硅具有半導(dǎo)體性，少量雜質(zhì)的引入會表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性。此外，碳化硅還有優(yōu)良的導(dǎo)熱性。碳化硅具有α和β兩種晶型。β-SiC的晶體結(jié)構(gòu)為立方晶系，Si和C分別組成面心立方晶格;α-SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體，其中，6H多型體為工業(yè)應(yīng)用上更為普遍的一種。在碳化硅的多種型體之間存在著一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。在溫度低于1600℃時，碳化硅以β-SiC形式存在。當(dāng)高于1600℃時，β-SiC緩慢轉(zhuǎn)變成α-SiC的各種多型體。4H-SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型體均需在2100℃以上的高溫才易生成;對于6H-SiC，即使溫度超過2200℃，也是非常穩(wěn)定的。碳化硅中各種多型體之間的自由能相差很小，因此，微量雜質(zhì)的固溶也會引起多型體之間的熱穩(wěn)定關(guān)系變化。